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晶片规格 |
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生长方式 |
CZ |
少子寿命
(μs) |
P:≧15
N:≧100 |
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导电类型 |
P / N |
位错密度
(Etch Pit Density) (/cm2) |
≦3000 |
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掺杂物 |
硼 / 磷 |
边长
(mm) |
Φ6":125±0.5
Φ6.5":125±0.5
Φ8":156±0.5 |
单晶晶向
(Degree) |
<100>±3 |
对角线长
(mm) |
Φ6":150±0.5
153±0.5
Φ6.5":165±0.5
Φ8":200±0.5 |
电阻率
(Ω．cm) |
P: 0.5~3, 3~6
N: 0.5~3, 0.6~3.5 |
片厚
(μm) |
180±20 |
氧含量
(atoms / cm3) |
P:≦1X1018
N:≦0.95X1018 |
TTV
(μm) |
≦30 |
碳含量
(atoms / cm3) |
≦5X1016 |
翘曲度
(μs) |
≦40 |
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