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晶棒规格 |
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导电类型 |
生长方式 |
掺杂物 |
电阻率
(Ω．cm) |
氧含量
(atoms/cm3) |
碳含量
(atoms/cm3) |
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P |
CZ |
硼 |
0.5~3, 3~6 |
≦1X1018 |
≦5X1016 |
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N |
CZ |
磷 |
0.5~3, 0.6~3.5 |
≦0.95X1018 |
≦5X1016 |
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导电类型 |
位错密度
(Etch Pit Density) (/cm2) |
少子寿命
(μs) |
单晶晶向
(Degree) |
直径
(mm) |
晶棒长度
(mm) |
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P |
≦3000 |
≧15 |
<100>±3 |
100.0~200.0 |
100~1300 |
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N |
≦3000 |
≧100 |
<100>±3 |
100.0~200.0 |
100~1300 |
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